三星半导体资本支出超过英特尔和台积电的总和达到260亿美元

日期:2017-11-16 作者:润欣科技 返回列表

导读: 预计三星今年的资本支出将达到260亿美元,超过英特尔和台积电的总和。


预计三星今年的资本支出将达到260亿美元,超过英特尔和台积电的总和。


ICInsights已经修改了半导体行业的资本支出预估,本月底将会发布新的报告。ICInsights最新的预测显示,今年半导体行业资本支出增长35%,达到908亿美元。


去年,三星在半导体行业的资本支出为113亿美元,预计2017年该业务支出将翻一番达到260亿美元。ICInsights总裁BillMcClean表示:“在我关注半导体行业的37年里,从没见过今年如此猛烈的半导体资本支出增长势头。今年三星在半导体行业的巨额开支是史无前例的。”


图1显示了自2010年以来三星半导体业务的资本投入情况,这一年也是该公司第一次在半导体资本支出上超过100亿美元。在2016年投入113亿美元之后,预计今年的资本支出激增比例让人惊讶。


三星的开支计划到底有多么凶猛?ICInsights预计,三星2017年第四季度的半导体资本支出为86亿美元,将占到整个半导体行业的33%(整个行业第四季度支出预计达到262亿美元)。同时,三星在第四季度的半导体销售额占整个行业的16%左右。


ICInsight预估的三星今年260亿美元半导体资本支出分为以下几个部分:


3DNANDflash:140亿美元(包括在平泽工厂的产能大幅增长)


DRAM:70亿美元(为了弥补因迁移而造成的产能损失)


代工/其他:50亿美元(用于提升10纳米制程能力)

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ICInsights认为,今年三星的巨额支出将对未来产生很大影响,3DNAND闪存市场可能会出现产能过剩情况,这种产能过剩一方面是因为三星在3DNAND闪存市场的巨额投资,另一方面如SK海力士、美光、东芝、英特尔等公司对这一细分市场的投资激增导致。从某种程度上来说,三星的竞争对手必须提高产能否则将失去部分市场份额。


三星的投资热预计也成为中国3DNAND闪存或DRAM相关企业的噩梦,此前ICInsights一直对中国初创企业对抗诸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技术持怀疑态度。如今三星在资本支出上的疯狂成了自己市场地位的保证,如果中国企业不能和现有的大型存储进行合作,那么未来很难有更强的竞争力。


新闻来源:OFweek

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